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분석기술

구조 분석

TEM Analysis

TEM (Transmission Electron Microscopy) 분석은 100nm 이하 두께의 시료에 가속된 전자빔을 조사하여 시료 내부를 관찰하고 분석하는 분석 기법입니다.
Dual FIB 장비를 활용해 100nm 이하 두께로 시료를 제작한 후 시료에 가속된 전자빔을 조사하여 얻어진 영상을 통해 재료의 미세구조와 결정구조를 분석할 수 있을 뿐만 아니라
불량현상을 최대한 손상되지 않은 상태로 분석이 가능한 장비입니다.

분석 기술

파우더, 박막 등 다양한 재료의 미세구조 및 결정구조 분석, 불량분석

장비

  • TEM Analysis
    제작사 및 모델명
    JEOL ㅣ JEM-2100F
    장비 사양
    가속전압: 200 keV
    TEM point resolution : ～0.23 nm
    STEM HAADF resolution: ～0.2 nm

기술사례

  • FinFET X-direction
  • FinFET X-direction
  • FinFET Y-direction
  • FinFET X-direction(STEM HAADF)

기술 및 서비스 문의

  • 분석기술팀 김철수 팀장
    Tel. 031-283-9677
    E-mail. chulsoo.kim@knal.co.kr