본문 바로가기 주메뉴 바로가기

분석기술

그 외 서비스

Bonding Cratering

Bonding Cratering 은 Wire Bonding 하부 Al Pad 나 IMC Layer 에 기계적인 스트레스로 발생된 Crack 의 흔적을 확인하고 분석하기 위한 분석 기법입니다.
Wire Bonding 공정 과정에서 발생되는 불량 현상으로서 Al Pad 및 IMC Layer에 Crack이 발생 되었는지 화학물질을 이용하여 De-capsulation 하거나 기타 방법들로
Wire Etching 함으로 인해 접합되는 표면에 발생된 Bonding Cratering 흔적을 관찰하고 분석할 수 있습니다.

분석 기술

Al pad 및 IMC Layer Crack

Passivation Integrity

Passivation Integrity 는 반도체 칩 Passivation Layer 에서 발생된 Crack 과 같은 손상 흔적을 확인하는 분석 기법입니다.
반도체 칩 상단에 위치한 Passivation Layer 는 Metal Layer 을 환경적인 요인 및 절연 측면에서 내부를 보호하기 위한 목적으로 사용되나 EMC Filer 및 다양한 공정 중에
Passivation Crack 과 같은 불량 현상이 발생되게 됩니다. 이러한 손상 부위에 화학물질을 침투시켜 Metal 이 변색되는 현상을 관찰함으로 인해 불량에 대한 분석을 할 수 있습니다.

분석 기술

Passivation Damage(Crack)

기술 및 서비스 문의

  • 분석기술팀 김철수 팀장
    Tel. 031-283-9677
    E-mail. chulsoo.kim@knal.co.kr